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3.打开工具.在"设置DD新消息提醒"里.前两个选项"设置"和"连接软件"均勾选"开启"(好多人就是这一步忘记做了)
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2024年09月28日 17时33分55秒
【央视新闻客户端】;
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半导体产业网获悉:近日,科友半导体SiC项目、苏容导半导体电子材料高纯储运装备项目、科睿斯半导体高端载板项目一期主厂房、 山西海纳半导体硅单晶生产基地项目、至纯科技滨江创新中心项目迎来新进展。详情如下:
1、20亿!科友半导体SiC项目签约杭州
9月25日,据“人民网-浙江频道”消息,第三届全球数字贸易博览会(简称“数贸会”)重大项目签约仪式在杭州大会展中心举行。现场共签约36个项目,总投资额1024.8亿元。其中包含一个“碳化硅原材料及碳化硅衬底项目”。
另根据“富阳发布”官微信息,该项目属于科友半导体产业装备与技术研究院有限公司,总投资20亿元,拟选址杭州富春湾新城,计划总建筑面积6.7万平方米,项目建设全部满产后,预计2024年—2028年累计产值53.2亿元,税收4.7亿元。
2、江苏容导半导体电子材料高纯储运装备项目开工
9月26日,江苏容导半导体电子材料高纯储运装备项目开工。
容导半导体是国内高纯化学品包材领域的领军企业,是亚洲产能最大、技术和供应品类最全的泛半导体高纯化学品容器制造商,致力于为高纯化学品行业提供高可靠性、高度定制化的优质产品和服务,已成功实现半导体前驱体材料、光伏PERC电池背面钝化材料、高端液晶显示材料、先进光学镀膜材料等产品的批量生产。容导半导体是目前行业内少数自行掌握了高纯容器全部工艺技术的企业,其电子级前驱体高纯金属容器产品在国内市场占有率位居首位。
此次开工的容导半导体电子材料高纯储运装备项目,预计总投资额达5.2亿元人民币,新厂房建筑面积约40000平方米,预计于2025年底正式投入使用,项目达产后,预计实现半导体电子材料高纯储运装备年产能5万件,实现年销售额超10亿元。新厂房建成投产后,不仅有助于协助解决在国内28nm以下的高纯半导体前驱体及特气材料的产、储、运卡脖子问题,有效缓解高纯容器的产能紧张状况,还将进一步丰富产品线,助力企业拓展国内外市场,增强品牌的市场竞争力,并为全球客户提供更加卓越的产品与服务。
3、总投资50亿元,科睿斯半导体高端载板项目一期主厂房封顶
9月26日,伴随着最后一方混凝土的浇筑完成,由海天建设集团承建的科睿斯半导体科技(东阳)有限公司高端载板项目一期主厂房提前完成封顶。
该项目位于新材料“万亩千亿”产业平台,规划分三期实施,总占地面积200亩,总投资额超50亿元。项目达产后,可形成每年56万片高端封装基板的生产能力,产值超60亿元。产品主要应用于CPU、GPU、AI及车载等高算力芯片的封装。
据报道,一期项目总投资24.12亿元,总用地面积8万㎡,总建筑面积102408㎡。项目投用后,解决国内“一板难求”的现状,实现ABF载板国产替代化,打造国内FCBGA(ABF)高端载板生产示范基地。项目达产后可形成年产28.08万片封装基板的生产能力,利税52870万元,新增就业1351人。建设起止年限为2024-2026年。
资料显示,科睿斯是一家专注于高端封装基板FCBGA的企业,致力于成为全球领先的FCBGA智能制造企业,为客户提供卓越的半导体高端基板解决方案。在技术优势及时优势方面,科睿斯掌握SAP生产技术和独特设计平台,具备多尺寸、高层ABF载板量产能力。一期主厂房建设提前两个月封顶、项目高效推进都离不开东阳经济开发区的贴心服务。项目自今年3月开工以来,经济开发区强化服务保障,实时跟进配套工程进程,助力企业早开工、早建成、早投产。科睿斯半导体科技(东阳)有限公司总经理陈志泰在封顶仪式上表示,接下来项目将转入机电工程装修阶段,预计明年4月可完成一期主厂房的全部施工,并于7月正式投产。
4、总投资约5.46亿元 山西海纳半导体硅单晶生产基地项目投产
9月26日,位于山西转型综改示范区阳曲工业园区的海纳半导体(山西)有限公司半导体硅单晶生产基地项目顺利投产,致力打造国内领先的半导体单晶生产基地。
2021年9月,海纳半导体(山西)有限公司注册成立,系浙江海纳半导体股份有限公司的全资子公司,主要负责海纳山西单晶基地的管理与运营。经多地选址及综合考量,2022年1月,海纳单晶基地正式落户山西转型综改示范区,主营中大尺寸半导体硅单晶。基地位于山西转型综改示范区阳曲工业园区,总投资约5.46亿元,占地面积约130亩,厂房面积39158.88平方米,厂区共建设综合楼、宿舍楼、大宗气罐区、污水站等9个单体,预计满产可达750吨/年。同时将加速推进中大尺寸高端产品的研发与生产。
5、至纯科技滨江创新中心研发楼封顶!
九月,至纯科技基建部传来喜讯,滨江创新中心项目研发楼主楼圆满封顶,比预计进度提前达成。
研发楼主楼封顶至纯科技滨江创新中心承载了总部功能、研发中心功能并配套研发制造车间,于2023年11月奠基,总投资67264万元,总建筑面积48700.65平方米,东临中月樱路,西临紫日路,南临金海棠路,北临兰香湖南路。
除研发楼外,还有研发车间、综合楼、配套宿舍及综合配套等4栋建筑,预计2025年6月整体竣工。竣工后,滨江创新中心将更好地支持至纯科技的发展,各个事业部将汇集在滨江基地办公。同时,新研发中心更有利于吸引更多优秀人才,公司规划的下一代的单片湿法平台、工艺模组、核心零部件研发将在新基地完成从研发设计到研发制造的完整过程,和启东的大型制造基地形成0-1和1-N的定位关系。原紫海路区域双楼将成为集团的培训中心和研究院(以预研及技术研究为主)。至此,企业将技术研究、平台研发、产品开发和应用设计的不同次第的研发工作更有序地组织起来。
备注:上述信息由半导体产业网 据公开信息整理,仅供参考!
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(转自:第三代半导体产业)
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